Nexperia BCM847DS
" (72362)BCM847DS化学成分
该资料详细描述了BCM847DS元器件的化学成分、封装信息、重量、焊接处理、材料组成及百分比。资料中包含了不同材料组分的CAS编号、质量（mg）和百分比，以及纯金属层和填料的详细信息。此外，还提供了制造地点、MSL等级、PPT处理次数等信息，并附有免责声明和注意事项。
China RoHS BCM847DS
Reliability Results for Product Type BCM847DS
Quality Information for Product Type BCM847DS
CERTIFICATE ISO/TS 16949:2009 Nexperia Philippines Inc. Nexperia Philippines Inc.
CERTIFICATE NexperiaB.V. ISO 14001:2015
CERTIFICATE ISO/TS 16949:2009 Nexperia UK Ltd.
BCM847QAS产品质量信息
本资料由Nexperia Semiconductors提供，主要针对BCM847QAS型产品的质量与可靠性数据。资料内容包括产品类型、订购信息、认证等级、封装类型、晶圆厂、组装信息、ESD HBM测试结果、计算故障率和MTBF/MTTF等。资料强调，这些数据仅作为产品性能的非约束性估计，不保证产品在超出规定条件下操作时能达到的数据。资料还提及了汽车级产品符合AEC-Q101标准，并详细说明了ESD测试和FIT计算方法。
CERTIFICATE NexperiaB.V. OHSAS 18001:2007
BCM857QAS产品质量信息
该资料提供了Nexperia Semiconductors公司生产的BCM857QAS型汽车级半导体器件的质量和可靠性信息。内容包括产品型号、订购信息、认证等级、封装类型、晶圆厂和组装厂信息，以及ESD抗扰度、计算失效率和平均无故障时间（MTBF/MTTF）等关键性能参数。资料还解释了汽车级产品的认证标准、ESD测试方法和FIT计算参数。
BCM857DS产品质量信息
本资料由Nexperia Semiconductors提供，针对BCM857DS产品类型的质量与可靠性数据进行概述。资料内容包括产品型号、订购信息、认证等级、封装类型、晶圆厂、组装厂、静电放电（ESD）测试结果、计算故障率以及平均故障间隔时间（MTBF/MTTF）。资料强调产品性能数据仅供参考，并指出汽车级产品符合AEC-Q101标准。
CERTIFICATE ISO/TS 16949:2009 Nexperia Germany GmbH
BCM847BV; BCM847BS;BCM847DS NPN/NPN matched double transistors Product data sheet
BCM857BV; BCM857BS;BCM857DS PNP/PNP matched double transistors
Nexperia NFC antenna protection diodes PESD18VF1Bx and PESD24VF1Bx
BCM856BS; BCM856BS/DGBCM856DS; BCM856DS/DG PNP/PNP matched double transistors Product data sheet
BCM857QAS 45 V, 100 mA PNP/PNP matched double transistors
BCM847QAS 45 V, 100 mA NPN/NPN matched double transistors
BCM856BSH 65 V, 100 mA PNP/PNP matched double transistor
BCM857BSH 45 V, 100 mA PNP/PNP matched double transistor
BCM856BSH-Q 65 V, 100 mA PNP/PNP matched double transistor
BCM857BSH-Q 45 V, 100 mA PNP/PNP matched double transistor
Nexperia Selection Guide 2021
Nexperia Selection Guide 2020
Nexperia Logic Translators
Nexperia B.V.和附录中提到的组织的新ISO 14001：2015和ISO 45001：2018证书
Nexperia B.V. 及相关组织获得新的 ISO 14001:2015 和 ISO 45001:2018 认证。由于新冠疫情影响，审计以远程方式进行，有效期限延长六个月。远程审计覆盖所有标准要素，Nexperia 已实施所有纠正措施，并计划在 2021 年 5 月/6 月进行现场监督审计，以确保证书更新。
Nexperia一瞥
Nexperia专注于高体积生产的离散和MOSFET组件以及模拟和逻辑IC，满足汽车行业严格的品质标准。公司以效率为核心，每年生产超过900亿个半导体产品，产品在工艺、尺寸、功率和性能方面具有行业领先的小型封装。Nexperia在全球拥有超过11,000名员工，业务遍及亚洲、欧洲和美国，提供全球支持。公司在小信号二极管和晶体管、ESD保护器件、PowerMOS汽车、逻辑器件等领域位居行业前列。
Nexperia packing indications Packing letter codes used in orderable part number
Nexperia low VF (MEGA) schottky rectifiers in CFP3 and CFP5 FlatPower packages FlatPower schottky rectifiers Small on size - big on power
PSMN045-100HL产品质量速查信息
本资料提供了Nexperia公司PSMN045-100HL型号产品的质量信息。内容包括产品型号、订单号、封装类型、晶圆和组装地点、静电放电（ESD）测试数据等。资料强调，所提供的数据仅供参考，不保证产品在超出规定条件下的性能。所有权利保留，未经版权所有者书面同意，禁止部分或全部复制。
PSMN038-100HS产品质量速查信息
本资料提供了Nexperia公司生产的PSMN038-100HS型号产品的质量信息。内容包括产品型号、订单号、封装类型、晶圆制造和组装地点、静电放电（ESD）测试数据等。资料强调，所提供的数据仅供参考，不保证产品在超出规定条件下的性能。所有权利保留，未经版权所有者书面同意，禁止部分或全部复制。
PSMN3R0-30YLD产品质量速查信息
本资料提供了Nexperia公司生产的PSMN3R0-30YLD型号产品的质量信息。内容包括产品型号、订单编号、封装类型、晶圆制造和组装地点、静电放电（ESD）测试数据等。资料强调，所提供的数据仅供参考，不保证产品在超出规定条件下的性能。所有权利保留，未经版权所有者书面同意，禁止部分或全部复制。
PSMN3R3-80BS产品质量速查信息
本资料提供了Nexperia公司生产的PSMN3R3-80BS型号产品的质量信息。内容包括产品型号、订单号、封装类型、晶圆和组装地点、静电放电（ESD）测试数据等。资料强调，所提供的数据仅供参考，不保证产品在超出规定条件下的性能。所有权利保留，未经版权所有者书面同意，禁止部分或全部复制。
PHB191NQ06LT产品质量速查信息
本资料提供了Nexperia公司PHB191NQ06LT型号元器件的质量和可靠性数据。资料内容包括产品型号、订单号、封装类型、晶圆和组装地点、静电放电（ESD）测试值等。数据为非约束性估计，不保证产品在超出最新数据手册规定条件下的性能。所有信息仅供参考，不构成任何报价或合同的一部分，且不承担任何使用后果的责任。
Paralleling of Nexperia GaN FETs: How to overcome challenges in Paralleling GaNFETs and increase the power capability of a Power design
Nexperia Home 8550软件开发套件
Nexperia Home 8550软件开发套件（NH-8550 SDK）为开发基于Nexperia PNX8550家庭娱乐引擎的电视、机顶盒和家用媒体服务器产品提供了一套完整的参考平台。该套件包括基于PNX8550的参考硬件、系统软件、AV流媒体软件层、操作系统、演示和示例应用程序、测试流、诊断软件和软件工具。NH-8550 SDK支持全球模拟电视标准的基本功能，包括双路模拟电视信号调谐和解码、数字静态图像格式解码和多种MPEG音频标准解码。此外，SDK还支持多种数据服务捕获和多种可选功能。
LFPAK56汽车动力-SO8包一拳
Nexperia推出的LFPAK56系列汽车级功率MOSFET，提供与传统DPAK和D2PAK相比的真正替代方案。该系列具有高功率密度、小尺寸和低导通电阻，同时具备高电流额定值和良好的热性能。产品范围广泛，包括N通道和P通道，适用于多种汽车电子应用。
用于功率MOSFET的SPICE和VHDL-AMS中的Nexperia精密电热模型
本资料介绍了Nexperia公司提供的电热MOSFET模型，包括如何在LTspice™和PartQuest™ Explore中导入和使用这些模型。资料详细说明了模型的特性、使用方法、能力限制以及如何获取模型。此外，还提供了模型在模拟中的行为示例，包括阈值电压、RDSon、输出特性、二极管特性、体效应、漏电流、击穿电压、电容和栅极电荷等。资料还讨论了模型与数据表之间的比较、模拟技巧和模型的完整模拟有效性范围。
AN90016 Maximum continuous currents in NEXPERIA LFPAK power MOSFETs
Nexperia氮化镓FET在半桥拓扑结构中的并联应用笔记
本应用笔记详细介绍了在半桥拓扑中并联Nexperia TO-247 GaN FET时的电路设计和PCB布局建议。内容涵盖GaN FET在半桥配置中的并联设计，包括电流共享、门极驱动设计、DC总线抑制和去耦电容等关键要素。此外，还提供了电路图、PCB布局和物料清单，以帮助设计师实现高效、稳定的GaN FET并联应用。
AN90030半桥拓扑结构中Nexperia氮化镓FET的并联应用笔记
本文档为Nexperia公司发布的关于GaN FET在半桥拓扑中并联的应用笔记。内容主要涉及GaN FET在半桥配置中的电路设计和PCB布局建议，包括电流共享、门极驱动设计、散热考虑、布局优化等方面。通过实际测试和数据分析，展示了如何实现GaN FET的均衡电流共享，确保系统稳定性和可靠性。
TN90002 H-bridge motor controller design using Nexperia discretesemiconductors and logic ICs Technical note
TN90004深入了解Nexperia功率氮化镓技术——应用、质量、可靠性和可扩展性
本文深入探讨了Nexperia的功率GaN技术，包括其在应用、质量、可靠性和可扩展性方面的表现。文章重点介绍了650V GaN FET的性能，包括其高可靠性门结构、高阈值电压、宽工作温度范围和低导通电阻。此外，还详细讨论了GaN FET的测试结果，包括高温反向偏置测试和高温操作寿命测试，以证明其可靠性和高质量。文章还强调了GaN技术在提高功率转换效率方面的潜力，尤其是在高电压、高功率应用中。
DFN0603-3（SOT8013）应用笔记的印刷电路板组装建议
本资料为Nexperia公司发布的关于DFN0603-3（SOT8013）无铅封装超小型元器件的PCB组装指南，主要内容包括DFN0603-3封装细节、PCB焊盘设计、焊膏和模板设计、焊接工艺以及组装过程中的注意事项。资料重点推荐了NSMD焊盘设计、特定模板开口尺寸、焊膏类型和焊接工艺，旨在提高组装效率和可靠性。
AN90005了解功率氮化镓FET数据手册参数
本资料详细解释了Nexperia功率GaN FET数据表的内容，包括命名规则、引脚配置和关键参数。资料以GAN063-650WSA GaN FET器件为例，介绍了器件的命名、引脚功能、封装类型、工作原理、极限参数、静态和动态特性等。此外，还讨论了开关时间特性、源漏电压、反向恢复电荷和开关节点吸收电路等关键概念。
AN10343 MicroPak焊接信息
本资料为Nexperia公司发布的关于MicroPak封装的焊接信息应用笔记。内容涵盖MicroPak封装的介绍、焊接材料选择、焊接工艺流程、焊接精度要求、焊接温度曲线以及焊接后的检查方法等。资料详细介绍了MicroPak封装的焊接要点，为工程师提供参考。
Nexperia工业应用指南
本指南针对工业应用，提供设计问题和标准产品（二极管、双极型晶体管、汽车MOSFET、ESD保护和逻辑器件）的解决方案。涵盖19种常见应用，包括汽车主动安全、工业控制、电机控制、POS、机器人、智能UPS、白货等。指南详细介绍了每个应用的设计考虑因素，包括操作电压、功率需求、ESD保护等，并提供相应的产品选择建议。
Technology insights with RECOM and Nexperia;How Trench Schottkys can increase the efficiency of a state-of-the-art switch-mode power converter
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